| 专利名称 | NAND结构及其形成方法 | 申请号 | CN200910241209.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102074562A | 公开（授权）日 | 2011.05.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | NAND结构及其形成方法 至NAND结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种与非门NAND结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅绝缘层；形成在所述衬底中的源区和漏区；形成在所述栅绝缘层之上的中间栅极，和位于所述中间栅极两侧的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极与所述中间栅极之间设有第一侧墙，所述第一栅极和第二栅极的外侧设有第二侧墙，其中，所述中间栅极之上设置有第一接触孔区，所述第一栅极和第二栅极之上分别设置有第二接触孔区，所述第一接触孔区和第二接触孔区交错排列。本发明提出的新型的NAND结构及形成该NAND结构的方法，通过该NAND结构可以有效缩小芯片面积30-50％左右。 |
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