| 专利名称 | 绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法 | 申请号 | CN201010283558.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101995609A | 公开（授权）日 | 2011.03.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周亮;李智勇;俞育德;余金中 | 主分类号 | G02B6/34(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/34(2006.01)I;G02B6/124(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I | 专利有效期 | 绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法 至绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件，该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。 |
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