| 专利名称 | 掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件 | 申请号 | CN200880129907.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102076892A | 公开（授权）日 | 2011.05.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 陈长章;洪茂椿;李定;林海南;蔡诗聪 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I | 专利有效期 | 掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件 至掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及人工晶体领域，尤其涉及低温相偏硼酸钡掺杂单晶体及其生长方法和变频器件。采用熔盐法生长。该单晶完全克服了BBO潮解性强的缺点，几乎不潮解；其倍频效应和光损伤阈值相对于BBO有较大提高；硬度显著增大，该单晶体的肖氏硬度为101.3，莫氏硬度为6，而BBO的肖氏硬度为71.2，莫氏硬度为4。从可见一紫外光区透过率曲线测试，该单晶体的截止波长为190nm，开始吸收波长为205nm。这些优于BBO的性能，可能使BBSAG在激光非线性光学领域、紫外、深紫外变频器件方面，有广阔的前景。 |
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