| 专利名称 | 复合电极制备方法及该方法制备的复合电极 | 申请号 | CN201010591690.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102074684A | 公开（授权）日 | 2011.05.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙宝云;董金泉;赵宇亮;郝健 | 主分类号 | H01M4/1393(2010.01)I | IPC主分类号 | H01M4/1393(2010.01)I;H01M4/133(2010.01)I | 专利有效期 | 复合电极制备方法及该方法制备的复合电极 至复合电极制备方法及该方法制备的复合电极 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种复合电极制备方法及该方法制备的复合电极，所述复合电极制备方法包括步骤：步骤a、制备电极时通过烧结过程使所述电极具有微孔；步骤b、将填充物以一定浓度溶解在有机或无机溶剂中形成混合物；步骤c、密封具有所述混合物及所述电极的反应釜，加热到所述混合物的超临界温度或超临界温度以上，使所述填充物在超临界条件下扩散到所述微孔中；步骤d、冷却所述反应釜到室温，得到填充了所述填充物的复合电极。本发明解决了现有技术复合进入电极的材料受到限制从而影响电弧放电的种类和产率的技术问题。 |
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