| 专利名称 | 同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法 | 申请号 | CN201110078117.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102230831A | 公开（授权）日 | 2011.11.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 崔苗;周桃飞;徐科;黄俊;王建峰;田飞飞;张锦平 | 主分类号 | G01K11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01K11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法 至同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法，包括如下步骤：提供一LED结构，所述LED结构包括衬底及其表面的器件层；提供一激发光，聚焦入射在衬底靠近器件层一侧的表面上，同时激发得到衬底和器件层的拉曼光谱特征峰；根据衬底和器件层的拉曼光谱特征峰的频率值，计算衬底和器件层的温度。本发明的优点在于，通过采用一聚焦的竖直空间分辨率大于有源区的厚度的聚焦激光束来同时测定有源区和衬底的拉曼光谱特征峰，从而计算出两者在同一时刻的温度值，为研究LED散热问题提供直接的测量手段。 |
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