| 专利名称 | 碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法 | 申请号 | CN201010541026.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102074590A | 公开（授权）日 | 2011.05.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;梁军;李德增;林天全 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法 至碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种CdTe薄膜太阳能电池结构中的背接触电极，依次包括透明导电玻璃层、窗口层、吸光层、阻挡层，其特征在于在阻插层背面制备石墨烯薄膜层作为背接触电极。所述的石墨烯层的厚度为0.1μm-1mm。所述的背接触电极制备是依次包括导电玻璃层、窗口层、吸光层、阻挡层的制备，其特征在于在石墨烯中加入粘合剂制备石墨烯浆，然后由石墨烯浆制备成石墨烯层本发明的优点在于，制作方法所采用工艺可与现行CdTe电池工艺兼容，为解决低成本、高性能、大规模的CdTe电池提供一种新的途径。 |
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