| 专利名称 | 一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法 | 申请号 | CN201010532715.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102082144A | 公开（授权）日 | 2011.06.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 黄晓橹;魏星;程新红;陈静;张苗;王曦 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法 至一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SOI电路中的ESD保护结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件，其中，所述栅控二极管ESD保护器件包括：正极、负极、沟道、栅介质层和栅极；所述正极和负极分别位于沟道两端，所述栅介质层和栅极依次位于沟道之上；所述沟道由N型区和P型区组成，且所述N型区与P型区形成纵向的PN结结构。本发明通过离子注入形成纵向大面积PN结进行ESD设计，大大增加了PN结面积，提高了大电流释放能力，实现了与体硅ESD电路相媲美的集成度，改善了SOI电路中ESD的鲁棒性。其制造工艺成本低，与传统SOI电路完全兼容。 |
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