| 专利名称 | 一种方向可以改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法 | 申请号 | CN200910241664.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102079506A | 公开（授权）日 | 2011.06.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;刘运宇;佘广为 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;C01B33/021(2006.01)I | 专利有效期 | 一种方向可以改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法 至一种方向可以改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于一维纳米材料的制备与应用领域，尤其涉及一种方向可以根据需要改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法。本发明首先在单晶硅片上化学镀一层纳米银颗粒作为金属催化剂，将镀过银的单晶硅片先在密闭容器中的一定浓度的刻蚀液中刻蚀一定时间，然后将刻蚀过的单晶硅片取出后放入在密闭容器中的另一浓度和比例不同的刻蚀液中，继续刻蚀一定时间，如此多次循环重复上述刻蚀，即可获得方向改变多次的弯折硅纳米线阵列。 |
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