| 专利名称 | 分离纳米材料及制作纳米电极的方法 | 申请号 | CN200910079281.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101823687A | 公开（授权）日 | 2010.09.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 李无瑕;顾长志 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 分离纳米材料及制作纳米电极的方法 至分离纳米材料及制作纳米电极的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种分离纳米材料的方法，所述纳米材料为一维纳米材料，所述分离纳米材料的方法包括如下步骤：1)将纳米材料固定在样品台上，获取所述纳米材料与衬底的夹角；2)根据所述纳米材料与衬底的夹角，调整衬底与水平面和离子束入射方向之间的夹角；3)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置，对所述纳米材料进行成像，根据成像结果划定切割区域；4)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置，利用离子束对切割区域进行切割扫描，直至纳米材料被切断。与现有的纳米材料与衬底分离的方法相比，本发明避免了对纳米材料的破坏与机械损伤；并且可在双束SEM/FIB或单束FIB系统上一次性完成，具有时间及成本优势。 |
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