| 专利名称 | 一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术 | 申请号 | CN03141999.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1487126 | 公开（授权）日 | 2004.04.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 葛增伟;吴国庆;储耀卿;殷学技;唐林跃;赵寒冰;顾李臻 | 主分类号 | C30B29/16 | IPC主分类号 | C30B29/16;C30B15/00 | 专利有效期 | 一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术 至一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种二氧化碲单晶体的坩埚下降法生长技术，属 于晶体生长领域。其特征在于采用以粉末为原料直接装埚入炉 及在坩埚下降生长晶体的过程中持续升温至1300℃～1400℃ 的方法，坩埚下降的速率为每小时0.6～1.0mm。本技术克服了 背景技术中压块装料、下降过程单一降温技术导致的易穿漏、 成品率低和晶体厚度小的缺点。可生长出厚度超过60mm、尺 寸大于(60×60×60)mm的优质大单晶。穿漏率＜1％，成品率提高。纯度高(含Ur、Th达到1×10－12)、晶体透明(无气泡，无包裹体，无裂纹)，能满足国际、国内对大尺寸优质二氧化碲单晶体的需求。 |
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