| 专利名称 | 表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其制备方法 | 申请号 | CN201010177182.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101845661A | 公开（授权）日 | 2010.09.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 汪鹏飞;周延彪;刘卫敏;张文军 | 主分类号 | C25F3/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C25F3/12(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其制备方法 至表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其硅线制备方法。该单晶硅片由作为基底的单晶硅片和位于所述单晶硅片表面的纳米硅线阵列组成。本发明以导电单晶硅片为前体，以磁控离子溅射仪溅射在硅片表面的金纳米颗粒为催化剂，通过电解法制备出预设面积的纳米硅线阵列。该方法可通过对金纳米颗粒薄膜层的厚度和电解时间的调节，获得不同直径和长度范围的纳米硅线阵列。该纳米硅线阵列具有分级的纳米和微米粗糙表面，该表面表现出良好的超疏水性，即对水的接触角大于150°，滚动角小于10°，污水溅到表面会自动滚落，不留任何痕迹，可提升半导体的物化性质并扩展其半导体器件应用。 |
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