| 专利名称 | 一种金刚石的制备方法 | 申请号 | CN201110287391.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102304697A | 公开（授权）日 | 2012.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 饶志鹏;万军;夏洋;李超波;刘键;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 | 主分类号 | C23C16/27(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/27(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金刚石的制备方法 至一种金刚石的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种用原子层沉积设备制备金刚石的方法。所述制备方法，具体包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；通过载气运输方式将含碳前驱体输送至所述原子层沉积设备反应腔中；通过等离子体放电，使得含碳前驱体中的碳原子在硅衬底上积累，自发形成金刚石结构。本发明利用原子层沉积设备和常见的碳源就可以在低温低压下制备出金刚石，并且可以控制金刚石的杂质含量和结构的完整性。 |
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