| 专利名称 | HTCVD法碳化硅晶体生长装置 | 申请号 | CN201110264570.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102304698A | 公开（授权）日 | 2012.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘兴昉;董林;郑柳;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | C23C16/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/32(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I | 专利有效期 | HTCVD法碳化硅晶体生长装置 至HTCVD法碳化硅晶体生长装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。 |
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