| 专利名称 | 凹槽平面双栅结构MOS器件及制造方法 | 申请号 | CN02142108.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1479355 | 公开（授权）日 | 2004.03.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子中心 | 发明（设计）人 | 卓铭;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/336 | IPC主分类号 | H01L21/336;H01L29/78 | 专利有效期 | 凹槽平面双栅结构MOS器件及制造方法 至凹槽平面双栅结构MOS器件及制造方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明一种凹槽平面双栅结构MOS器件及制造 方法，该器件包括：一衬底；一氧化硅层，该氧化硅层淀积在 衬底上，使得整个器件与衬底相隔离；两个栅电极形成在氧化 硅层，该两个栅电极之间形成有一沟道；源电极、漏电极形成 在上面的一栅电极两侧，并且高出沟道的表面。 |
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