| 专利名称 | γ－LiAlO2/α－Al2O3复合衬底材料的制备方法 | 申请号 | CN03129602.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1476047 | 公开（授权）日 | 2004.02.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 徐军;王海丽;周圣明;杨卫桥;彭观良;周国清;蒋成勇;宋词;杭寅;司继良;赵广军 | 主分类号 | H01L21/00 | IPC主分类号 | H01L21/00;H01L33/00 | 专利有效期 | γ－LiAlO2/α－Al2O3复合衬底材料的制备方法 至γ－LiAlO2/α－Al2O3复合衬底材料的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种γ－LiAlO2/α－Al2O3复合衬底材料的制备方法，包括如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的LiAlO2和Li2O混合料块；将双面抛光或单面抛光的蓝宝石α－Al2O3晶片置于或悬于铂金丝上，加上覆盖有LiAlO2和Li2O混合粉料和热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至1000～1400℃左右，恒温20～100小时，Li2O扩散到α－Al2O3晶片中，降温后可得到LiAlO2/α－Al2O3复合衬底材料。本发明克服了α－Al2O3衬底晶格失配度大和难以获得大尺寸高质量LiAlO2单晶衬底等问题，可用于生长高质量InN－GaN薄膜外延生长。 |
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