| 专利名称 | 一种硅纳米线的制作方法 | 申请号 | CN03141848.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1474434 | 公开（授权）日 | 2004.02.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王跃林;李欣昕;刘文平 | 主分类号 | H01L21/02 | IPC主分类号 | H01L21/02;B82B3/00 | 专利有效期 | 一种硅纳米线的制作方法 至一种硅纳米线的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在 于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米 线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等 于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺 度为10－50nm的硅纳米线；且可通过氧化进一步减细以及还 可对材料进行掺杂，以制作不同导电类型的纳米线。使用本发 明制作的纳米硅线，可用于研究低维半导体性质，还可以做成 传感器件，电子器件，甚至发光器件等。且可批量生产，所以 应用前景广阔。 |
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