| 专利名称 | 一种采用超临界水去除光刻胶的系统 | 申请号 | CN201020125723.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201615991U | 公开（授权）日 | 2010.10.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;景玉鹏 | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 专利有效期 | 一种采用超临界水去除光刻胶的系统 至一种采用超临界水去除光刻胶的系统 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种采用超临界水去除光刻胶的系统。在半导体技术发展到32nm节点之后，去除高剂量注入的光刻胶是清洗工业面临的重要工艺挑战之一。将超纯水加热加压到临界温度和压力以上，便生成了超临界水。超临界水具有极强的氧化能力，可以去除注入硬化的光刻胶。该系统属于一种湿法-干法相结合的清洗方式，与底层硅表面的兼容性很好，对注入表面的硅原子损耗较低。也能去除特别小的注入光刻胶图形，而且不会引入损伤。 |
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