| 专利名称 | 离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机 | 申请号 | CN200920350080.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201614404U | 公开（授权）日 | 2010.10.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 发明（设计）人 | 张健;孟凡荣;张军;周景玉;佟辉 | 主分类号 | C23C14/24(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/24(2006.01)I | 专利有效期 | 离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机 至离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及真空镀膜设备，具体地说是一种离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机，包括真空室、真空抽气系统及机架，真空室安装在机架上，真空抽气系统与真空室密封连接；所述真空室内设有与其密封连接的中心转轴，中心转轴的底端与安装在机架上的驱动电机的输出轴相连接；所述中心转轴的两侧对称设有安装在真空室内壁的离子束和弧源，中心转轴上设有与其共同转动的工件架；该工件架位于离子束和弧源的下方。本实用新型在真空室内安装了离子源和弧源，提高了圆柱靶材的利用率；在镀膜时离子源和弧源同时工作，利用离子源提高工作气体的离化率，对薄膜的光洁度和附着力有很大的提高。 |
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