| 专利名称 | 含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途 | 申请号 | CN200910089218.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101942196A | 公开（授权）日 | 2011.01.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 付绍云;杨洋 | 主分类号 | C08L83/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C08L83/00(2006.01)I;C08K3/30(2006.01)I;C09K11/88(2006.01)I;F21V9/10(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 专利有效期 | 含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途 至含CdSe量子点的硅树脂基复合材料及制法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及的含CdSe量子点的硅树脂复合材料由无色透明的硅树脂和均匀分散于该硅树脂之内的CdSe量子点颗粒构成的纳米复合材料；该复合材料中的CdSe量子点与硅树脂的质量比为0.1-10；其制备步骤是将不同粒径的CdSe量子点颗粒溶于有机溶剂中，得CdSe量子点溶液；同时将硅树脂溶于合适的溶液中得硅树脂溶液；然后按复合材料中CdSe含量取相应的CdSe量子点溶液与硅树脂溶液均匀混合，真空使溶剂挥发完全，然后置于烘箱，固化成型，得到含CdSe量子点的硅树脂复合材料；该复合材料具一定的透明性和良好的发光性能，适用于光电器件、LED固体照明器件或户外霓虹灯的表面封装。 |
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