| 专利名称 | 一种原位制备太阳能电池的方法 | 申请号 | CN201010274489.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101950779A | 公开（授权）日 | 2011.01.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司 | 发明（设计）人 | 夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种原位制备太阳能电池的方法 至一种原位制备太阳能电池的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种原位制备太阳能电池的方法，属于太阳能电池制造技术领域。所述制备方法包括：对硅片进行预处理；将经预处理后的硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内，利用等离子体浸没离子注入工艺，完成黑硅的制备，在所述黑硅上制作PN结和形成钝化层；将已完成PN结制作和钝化层形成的黑硅从等离子体浸没离子注入机取出，在黑硅的背面制备金属背电极，在钝化层上制备金属栅极，经封装后制成太阳能电池。本发明原位制备太阳能电池的方法能够在原位实现黑硅制备、PN结制作和钝化层成形，从而大大减少了制备太阳能电池所需的设备，大幅降低了太阳能电池的制作成本，并且工艺过程简单，易于控制。 |
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