| 专利名称 | 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 | 申请号 | CN201010220390.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101950723A | 公开（授权）日 | 2011.01.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;伍青青;罗杰馨;肖德元;王曦 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 至实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种实现源体欧姆接触的SOI?MOS器件制作方法，先制作栅区，进行高剂量的源区和漏区轻掺杂，形成较高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区，之后在栅区周围制备侧墙隔离结构，进行源区和漏区离子注入，通过一道在源区位置设有开口的掩膜版，倾斜的进行重掺杂P离子注入，从而在源区与体区之间形成重掺杂的P型区，最后在源区的部分表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的Si材料反应生成硅化物。本发明通过硅化物与其旁边的重掺杂P区形成欧姆接触，释放SOI?MOS器件在体区积累的空穴，从而抑制SOIMOS器件的浮体效应，并具有不增加芯片面积，制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。 |
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