| 专利名称 | 一种金属单晶横向晶体取向的控制方法 | 申请号 | CN02132531.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1465754 | 公开（授权）日 | 2004.01.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 郑启;孙晓峰;侯桂臣;管恒荣;胡壮麒 | 主分类号 | C30B11/00 | IPC主分类号 | C30B11/00;B22D27/04 | 专利有效期 | 一种金属单晶横向晶体取向的控制方法 至一种金属单晶横向晶体取向的控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及金属单晶的制备技术，具体地说是一 种金属单晶横向晶体取向的控制方法。在单晶炉中，设置有选 晶器、起晶器，应用选晶法生长单晶铸件；其中：所述起晶器 采用具有一对较长、相对平行对边的矩形或类矩形横截面，从 而引入附加的定向横向热场，控制晶体生长过程中单晶横向晶 体取向，运用常规熔模精铸方法造型，浇注液态金属，在单晶 炉中生长单晶。本发明能在晶体生长过程中通过引入附加的定 向横向热场，结合晶体生长择优取向的特征，控制单晶横向晶 体取向。 |
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