| 专利名称 | 一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法 | 申请号 | CN201010219623.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101894887A | 公开（授权）日 | 2010.11.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 梁爽;梅增霞;梁会力;崔秀芝;杜小龙 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法 至一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种p型6H-SiC(0001)衬底上基于PIN异质结构的紫外探测材料的制备方法，制备过程依次分为以下几步：在超高真空环境下热处理获得清洁表面，沉积10～100nm厚的金属氧化物绝缘层，高温沉积BeO缓冲层，仅在生长n-MgZnO单晶薄膜时采用，生长n-ZnO或n-MgZnO外延层。利用该方法，可以在目前已被大功率器件广泛使用的6H-SiC衬底上制备出具有重大应用价值的ZnO基紫外探测材料，进一步推动基于ZnO的紫外波段光电器件的应用。因此，本发明具有重大的工业应用价值。 |
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