| 专利名称 | 一种集成有增透膜的碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法 | 申请号 | CN201010198869.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101894848A | 公开（授权）日 | 2010.11.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 廖清君;邢雯;胡晓宁 | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种集成有增透膜的碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法 至一种集成有增透膜的碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种集成有增透膜的光伏型碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法，该方法可以在保持碲镉汞红外焦平面模块结构的情况下，采用磁控溅射制备方法，通过工艺参数优化，低温生长了在特定的工作波段3.5～5um具有良好的增透射特性的增透薄膜，同时保证薄膜与碲镉汞红外探测器芯片衬底表面有很好的附着性，在高低温度变化过程中不脱落不改变性能。 |
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