| 专利名称 | 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法 | 申请号 | CN201010206329.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101894771A | 公开（授权）日 | 2010.11.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法 至多层堆叠电阻转换存储器的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造半导体第一晶圆；制造半导体第二晶圆；键合第一晶圆和第二晶圆；沉积第一电极材料；通过半导体工艺，在原第一晶圆顶部镶嵌的第一位线上方形成对应的多层结构单元；沉积绝缘介质材料；在所述基底上通过半导体工艺制造沟槽；填充存储材料，并进行回刻工艺，仅保留沟槽内的存储材料；填充第三金属材料层，并进行化学机械抛光平坦化，原位地、免光刻地在沟槽内形成第二字/位线。本发明提出的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，通过键合法实现多层堆叠电阻转换存储器的制造，工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。 |
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