| 专利名称 | 钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法 | 申请号 | CN200910051651.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101891472A | 公开（授权）日 | 2010.11.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 曾江涛;李国荣;郑嘹赢;张望重;张阳红;殷庆瑞 | 主分类号 | C04B35/495(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I | 专利有效期 | 钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法 至钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法，本发明的高居里点无铅压电陶瓷，其通式由(1-x)K0.5Na0.5Nb1-ySbyO3-xK3Li2Nb5O15表示，式中0＜x≤0.10，0≤y≤0.10。本发明的材料能使用普通的碳酸盐或者氧化物原料，采用常规的陶瓷工艺制备而成。本发明制备的陶瓷具备非常高的居里温度及较好的压电性能，并且此配方不含铅，是一种环境友好的材料。 |
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