| 专利名称 | 金属层平坦化系统 | 申请号 | CN200920319254.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201634763U | 公开（授权）日 | 2010.11.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;景玉鹏 | 主分类号 | C23F1/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23F1/08(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 专利有效期 | 金属层平坦化系统 至金属层平坦化系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种金属层平坦化系统，属于半导体平坦化技术领域。本实用新型的金属层平坦化系统包括真空腔室(2)、喷头(3)、硅片托盘(4)、压力测量装置(8)、真空泵(9)和尾气处理装置(10)；喷头(3)设置在真空腔室(2)内，硅片托盘(4)位于真空腔室(2)内，压力测量装置(8)与真空腔室(2)密闭相连，真空腔室(2)与尾气处理装置(10)通过管道密闭连接，管道中设有真空泵(9)，真空泵(9)与管道的管壁密闭连接。本实用新型的金属层平坦化系统，能够精确并均匀地把硅片抛光为需要的厚度和平坦度，不会引入新的缺陷，提高了芯片的成品率。 |
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