| 专利名称 | 一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统 | 申请号 | CN200920350780.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201632452U | 公开（授权）日 | 2010.11.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;惠瑜;高超群;景玉鹏 | 主分类号 | B08B5/02(2006.01)I | IPC主分类号 | B08B5/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统 至一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统，包括：氟化氢源、液态二氧化碳源、第一流量控制阀、第二流量控制阀、加热器、高压泵、高压密闭腔室(5)、针型阀(8)、溢出腔(9)、碱性溶液(10)、过滤纯化装置(11)和冷凝系统(12)。利用本实用新型，提高了杂质去除率，减少了硅片的整体缺陷，提高了最终成品率。? |
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