| 专利名称 | 镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器 | 申请号 | CN201120300071.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202192235U | 公开（授权）日 | 2012.04.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 罗天骄;杨院生;冯小辉;李应举;付俊伟 | 主分类号 | B22D11/055(2006.01)I | IPC主分类号 | B22D11/055(2006.01)I;B22D11/049(2006.01)I | 专利有效期 | 镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器 至镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型属于金属材料制备领域，具体涉及一种镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器。结晶器外壳的顶部设置结晶器上盖，结晶器外壳和结晶器上盖的中心孔位置设有结晶器内套，结晶器外壳和结晶器上盖之间形成冷却水槽，冷却水槽中设置励磁线圈，结晶器外壳的外侧设置与冷却水槽相通的进水口，结晶器内套上开有与冷却水槽相通的二次冷却水喷孔。结晶器外壳和上盖为不锈钢，结晶器内套为4XXX系铝合金，且结晶器内套的上口高出上盖上表面，上口和下口间呈喇叭状。本实用新型用于镁合金的半连续铸造，利用其产生的脉冲电磁力作用于结晶器内部镁合金熔体，使熔体产生强制对流，碎化粗大枝晶，增加形核率，镁合金半连续铸棒晶粒细化效果明显。 |
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