| 专利名称 | 一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法 | 申请号 | CN201110355252.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102420270A | 公开（授权）日 | 2012.04.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 廖清君;胡晓宁;马伟平;邢雯;陈昱;林春;王建新 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法 至一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极，该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面，利用薄膜生长时光刻胶台面的图形阴影效应，在碲镉汞芯片pn结注入区周围生长一层厚度缓变的复合钝化层，然后生长一层电极，将电极延伸至远离pn结注入区位置。采用本发明中的方法制备的电极可以保证pn结注入区内的电极与复合钝化层表面电极的电学连通性达到100％，同时将用于倒焊互连的铟柱制备在电极的延伸处，远离pn结注入区位置，保证倒焊互连时的压力承受点远离pn结，提高器件性能。 |
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