| 专利名称 | 一种制作晶硅高效太阳能电池的方法 | 申请号 | CN200910083501.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101882643A | 公开（授权）日 | 2010.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;李昊峰;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作晶硅高效太阳能电池的方法 至一种制作晶硅高效太阳能电池的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作晶硅高效太阳能电池的方法，包括：在晶硅基片表面制备绒面结构；采用扩散法在晶硅基片上形成PN结结构；利用薄膜沉积技术及热处理在表面形成硅纳米晶结构；利用等离子增强化学气相淀积法在基片表面淀积氮化硅减反膜；丝网印刷完成正、负电极的制作；合金化，最终形成表面硅纳米晶调制的太阳能电池。本发明利用由大生产线上的工艺手段制备出的PN结晶硅太阳能电池，在其表面制备硅纳米晶，通过硅纳米晶的能带调节作用，使晶硅电池能更有效利用太阳光波长，进而提高晶硅电池的效率。本发明与现有成熟的大规模生产技术相兼容，具有生产工艺简单，易于产业化等特点，可以有效地降低成本，获得高效晶硅太阳能电池。 |
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