| 专利名称 | 稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法 | 申请号 | CN201010188978.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101872839A | 公开（授权）日 | 2010.10.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 龚岳峰;宋志棠;凌云;张挺;刘波;李宜瑾 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法 至稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种稳定阈值电压的低功耗的相变存储器及其制造方法，该相变存储器包括：上电极、下电极、位于上、下电极之间的相变材料层以及与所述相变材料层接触的保温层；所述相变材料层的厚度大于3nm，并且小于等于d，d为擦操作时在所述相变材料层底面从下电极边缘到非晶区域边缘的最小距离。本发明提出了最佳的相变材料层厚度，一方面能够有效的限制相变区域，保证器件操作时获得稳定的阈值电压，另一方面有效地控制热量分布，提高器件操作的热效率，降低器件功耗。 |
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