| 专利名称 | 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法 | 申请号 | CN201010182276.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101872803A | 公开（授权）日 | 2010.10.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 叶振华;尹文婷;王建新;方维政;杨建荣;陈昱;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法 至一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性，以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性，有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。 |
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