一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法

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专利名称 一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法 申请号 CN201110366696.6 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102435785A 公开(授权)日 2012.05.02 申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 吴东岷;李加东 主分类号 G01Q60/38(2010.01)I IPC主分类号 G01Q60/38(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 专利有效期 一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法 至一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明揭示了微纳机械传感器领域中的一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法。该探针包括倾斜式针尖、悬臂梁及主体支撑结构,其特征在于采用顶层硅厚度等于AFM探针悬臂梁厚度的(100)型SOI硅片为制备原料;首先在SOI硅片的顶层硅上应用湿法刻蚀工艺形成AFM探针的悬臂梁,之后在位于悬臂梁顶端的(111)面上制备催化剂颗粒;然后采用化学气相沉积工艺进行硅纳米线的生长形成AFM探针的针尖,得到目标产物。本发明采用硅纳米线生长工艺形成探针的针尖,突破了当前工艺对倾斜式超大高宽比AFM探针制备的限制,真正实现了倾斜式超大高宽比AFM探针可控制备。?

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