| 专利名称 | 后栅工艺中金属栅的制作方法 | 申请号 | CN201010500383.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102437032A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 项金娟;王文武 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 后栅工艺中金属栅的制作方法 至后栅工艺中金属栅的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用后栅工艺形成金属栅的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有栅沟槽；在所述衬底表面进行至少一次金属层淀积-退火处理，以在所述栅沟槽内填充金属层；去除所述栅沟槽之外的金属层。上述方法能够减少栅极的寄生电阻，并且提高晶体管的可靠性。 |
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