| 专利名称 | 一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法 | 申请号 | CN201210007583.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102433544A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;南京航空航天大学 | 发明（设计）人 | 谢晓明;沈鸿烈;吴天如;丁古巧;孙雷;唐述杰;江绵恒 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法 至一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的制备方法，以多苯环芳香族碳氢化合物作为碳源，采用碳源分解法或碳源旋涂法在铜箔表面生长出石墨烯。制得的石墨烯表面光滑平整、面积大、层数可控。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。 |
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