| 专利名称 | 独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201110388594.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102433579A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 罗建强;孙静;高濂;刘阳桥 | 主分类号 | C25D11/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D11/26(2006.01)I | 专利有效期 | 独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法 至独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，包括：对钛基进行阳极氧化处理以在所述钛基上形成氧化钛纳米管阵列薄膜；对所得氧化钛纳米管阵列薄膜进行水浸泡处理；以及缓慢干燥处理挥发水分以使所述氧化钛纳米管阵列薄膜脱离所述钛基形成所述独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜。本发明合成工艺简单易行、无污染、效率高、易工业化生产；制得的独立、有序的纳米管阵列薄膜完整，形状尺寸可控，可用于前照式方式的染料敏化太阳能电池。 |
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