| 专利名称 | 一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法 | 申请号 | CN201110302464.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102437166A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 时文华 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 专利有效期 | 一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法 至一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法，包括以下步骤：一、在SOI的顶层表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层材料刻穿至到达SOI的埋层材料，在所述SOI的埋层表面形成若干个独立的热隔离柱；二、将所述步骤一中形成的热隔离柱与衬底键合；三、去除SOI的底层材料，露出SOI的埋层底面；四、采用光刻结合刻蚀工艺，对所述步骤三中非热隔离柱区域对应的SOI的埋层进行刻蚀至刻穿，形成若干个独立的像素点；五、采用电子束蒸镀方法，在所述步骤四的像素点表面制备可调谐热光带通滤波器。本发明通过引入键合工艺，在实现像素点之间热隔离的同时，避开使用牺牲层，制造工艺简单可靠，更有利于技术的推广普及。? |
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