| 专利名称 | 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 | 申请号 | CN201010565049.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102061518A | 公开（授权）日 | 2011.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张传杰;陈晓静;魏彦锋;杨建荣 | 主分类号 | C30B25/16(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/16(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I | 专利有效期 | 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 至碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延工艺中的起始生长温度精确控制方法，其特征是：在预生长之前增加一个二次降温过程，保证预生长温度高于生长温度并在一个允许范围内；在母液温度接近需要控制的开始生长温度前进行一次尝试性的短时间生长，观察样品架温度的变化情况来决定正式开始生长的时机。该方法的优点是：可以精确控制碲镉汞垂直液相外延系统的起始生长温度，既不会因为碲锌镉衬底过分回融导致生长组分偏高，也不会因为起始生长温度过低，导致样品架和衬底表面严重疯长，影响外延层的质量和外延的成品率。 |
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