| 专利名称 | 测量半导体激光器腔面温度的测试系统 | 申请号 | CN201010564571.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102062647A | 公开（授权）日 | 2011.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 裘利平;饶兰 | 主分类号 | G01K11/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01K11/30(2006.01)I | 专利有效期 | 测量半导体激光器腔面温度的测试系统 至测量半导体激光器腔面温度的测试系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种测量半导体激光器腔面温度的测试系统，包括：一三维微位移平台；一温控平台位于三维微位移平台的上面，温控平台上安装有样品架；一激光头模块位于温控平台的正上方；一滤波片位于激光头模块与温控平台之间的光路上，使滤波片对被测样品发射的激光形成高反，对激光头模块发射的激光形成高透；一脉冲电流源向激光头模块供电，使激光头模块发出一脉冲激光；一直流电流源向温控平台供电；一直流电流源为被测样品提供工作电流；一监控CCD监控被测样品，利于将激光头模块发出的激光光斑照射于被测样品腔面上；一三维微位移平台控制器控制三维微位移平台的三维移动；一锁相放大器的输入端与激光头模块的输出端连接；一台式万用表的输入端与锁相放大器的输出端连接。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障