| 专利名称 | 异质掩埋激光器的制作方法 | 申请号 | CN201010196147.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101888060A | 公开（授权）日 | 2010.11.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王宝军;朱洪亮;赵玲娟;王圩;潘教青;陈娓兮;梁松;边静;安心;王伟 | 主分类号 | H01S5/227(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/227(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 专利有效期 | 异质掩埋激光器的制作方法 至异质掩埋激光器的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO2层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO2层表面的两侧，将SiO2层和有源层刻蚀掉，使中间形成微米级脊型台面，光刻后的有源层成为激光器件的发射区；步骤4：用MOCVD技术，在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层，使脊型台面上形成沟道；步骤5：去掉脊型台面表面上的SiO2层；步骤6：用MOCVD技术，在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层，完成器件的制作。 |
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