| 专利名称 | 高分散、高比表面积、大孔容SiO2空心球的合成方法 | 申请号 | CN200910198809.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102060300A | 公开（授权）日 | 2011.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈雨;陈航榕;施剑林;何前军;陈风 | 主分类号 | C01B33/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/12(2006.01)I | 专利有效期 | 高分散、高比表面积、大孔容SiO2空心球的合成方法 至高分散、高比表面积、大孔容SiO2空心球的合成方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及高分散、高比表面积、大孔容孔SiO2空心球的合成方法。首先通过溶胶-凝胶法加表面活性剂导向法合成出高度分散、粒径均一的实心核/介孔壳SiO2纳米球，再通过简单的碱性溶液中水热后处理方法除去SiO2纳米球中的实心核而保持外壳介孔层完整，得到介孔SiO2空心球。本发明制得的介孔SiO2空心球具有高度的分散性、高的比表面积、大的孔容、均一的孔径分布和可调的空腔大小。结果显示经过碱后处理的介孔SiO2空心球的比表面积高达320m2/g，孔容高达0.66cm3/g，在药物的传输、催化、微反应器、吸附、分离、色谱等领域具有广泛的应用前景。 |
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