| 专利名称 | 一种基于铟凸点的无助焊剂回流工艺方法 | 申请号 | CN201010515444.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102064120A | 公开（授权）日 | 2011.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 黄秋平;罗乐;徐高尉;袁媛 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;C25D5/10(2006.01)I;C25D3/54(2006.01)I;C25D3/46(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于铟凸点的无助焊剂回流工艺方法 至一种基于铟凸点的无助焊剂回流工艺方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于铟凸点的无助焊剂回流的工艺方法，其特征在于包括基板金属化、钝化层开口、凸点下金属化层增厚、电镀铟凸点、电镀银层包覆铟凸点、凸点回流。采用本发明提供的工艺可实现铟凸点阵列的无助焊回流，该工艺可应用于某些特殊的光电芯片，MEMS芯片和生物检测芯片中的倒装互连中。 |
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