| 专利名称 | 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 | 申请号 | CN201010534772.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102064261A | 公开（授权）日 | 2011.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘志强;郭恩卿;伊晓燕;汪炼成;王国宏;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/36(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 至栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种栅极调制垂直结构GaN基发光二极管结构，包括：一导电衬底；一p型GaN层，该p型GaN层制作在导电衬底上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在p型GaN层上；一n型GaN层，该n型GaN层制作在多量子阱有源层上；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的中间；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在n型GaN层上没有N电极的部分，并围绕N电极；一栅电极，制作在栅极绝缘层上。 |
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