| 专利名称 | 一种制造半导体器件的方法 | 申请号 | CN200910237545.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102064133A | 公开（授权）日 | 2011.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;陈世杰;王晓磊;韩锴;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制造半导体器件的方法 至一种制造半导体器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。在金属栅电极材料沉积后，淀积一层对氧分子具有催化功能的氧分子催化层，之后采取低温PMA退火工艺将退火氛围中的氧分子分解为更具活性的氧原子。这些氧原子透过金属栅扩散进高k栅介质薄膜中，并补偿高k薄膜中的氧空位，从而达到降低高k薄膜中的氧空位，提高高k薄膜质量的目的。本发明不仅可以实现高k栅介质薄膜的氧空位减少及缺陷降低，而且还可以避免传统PDA高温工艺导致的低介电常数SiOx界面层的生长，从而可以有效地控制整个栅介质层的EOT，并满足MOS器件继续按比例缩小的目的。同时，本发明还提供一种根据所述方法获得的半导体器件。 |
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