| 专利名称 | 稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法 | 申请号 | CN201010512595.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102021652A | 公开（授权）日 | 2011.04.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;宁凯杰;高进云;刘文鹏;罗建乔 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法 至稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了稀土或Bi、Cr、Ti掺杂的IIA族稀土氧化物发光材料及其熔体法晶体生长方法，按比例将配制好的原料充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；获得的分子式为(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1-x-y-z)RE′2zO7的发光材料，本发光材料有高的阻止本领、高的发光效率和快衰减，可用作激光工作物质和高能射线、高能粒子等的探测材料。 |
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