| 专利名称 | 一种基准电流产生电路 | 申请号 | CN200910092880.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102023670A | 公开（授权）日 | 2011.04.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张欣旺;阎跃鹏;杜占坤 | 主分类号 | G05F3/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F3/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基准电流产生电路 至一种基准电流产生电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基准电流产生电路。通过在该电路的C、D两点增加一个单位增益放大器，使得电流I4不随温度变化；通过调整PMOS管第三PMOS管(407)与第一PMOS管(408)的比例关系，使得第一PNP晶体管(403)与第三PNP晶体管(409)的集电极电流相等。通过这两处的改进，使得电流I3可以完全抵消基准电流中的高阶项。通过仿真验证，改进后的电路可以得到温度特性达到0.5ppm/℃的基准电流。 |
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