| 专利名称 | 氧化亚锡多晶薄膜的制备方法 | 申请号 | CN200910152532.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102021519A | 公开（授权）日 | 2011.04.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 曹鸿涛;梁凌燕;刘志敏 | 主分类号 | C23C14/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/30(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 专利有效期 | 氧化亚锡多晶薄膜的制备方法 至氧化亚锡多晶薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及氧化亚锡多晶薄膜的制备方法。本发明利用氧化锡(SnO2)蒸发料和电子束蒸发设备，先低温制备SnOx(1＜x＜2)非晶薄膜，再经高温真空退火处理，获得SnO多晶薄膜。本发明制备工艺简单可控，可在石英玻璃等衬底上大面积均匀成膜，且成膜重复性好。氧化亚锡为p型导电氧化物，可用于制备氧化物基光电子及电子器件。 |
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