| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010574353.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102479821A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其形成方法 至半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括：半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上；以及背栅，其位于所述半导体衬底上并嵌于所述绝缘层和所述半导体基体中。根据本发明，利于减小半导体器件中的短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容，并可调节半导体器件的阈值电压。 |
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