| 专利名称 | 含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法 | 申请号 | CN03105024.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1437272 | 公开（授权）日 | 2003.08.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 阎东航;袁剑峰;严铉俊 | 主分类号 | H01L51/20 | IPC主分类号 | H01L51/20;H01L51/40 | 专利有效期 | 含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法 至含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种含有保护层的有机半导体场效应晶体管，包 括衬底(1)，栅电极(2)形成在衬底(1)上，栅绝缘层(3)形成在衬 底(1)和栅电极(2)上，第一半导体层(4)形成在栅绝缘层(3)上， 第二半导体层(6)形成在第一半导体层(4)上，保护层(5)形成在 第二半导体层(6)上，源/漏电级(7)形成在保护层(5)刻蚀孔处和 半导体层(4)上。本发明的特征是采用两种或两种以上有机材料 来共同构成有源半导体层，含有保护层。 |
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